casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N1206AR
codice articolo del costruttore | JAN1N1206AR |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N1206AR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/260 |
JAN1N1206AR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 38A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N1206AR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N1206AR-FT |
IDB06S60CATMA2
Infineon Technologies
IDC04S60CEX1SA1
Infineon Technologies
IDC04S60CEX7SA1
Infineon Technologies
IDC05S60CEX1SA1
Infineon Technologies
IDC08S120EX1SA3
Infineon Technologies
IDC08S120EX7SA1
Infineon Technologies
IDC08S60CEX1SA2
Infineon Technologies
IDC08S60CEX1SA3
Infineon Technologies
IDC08S60CEX7SA1
Infineon Technologies
IDC40S120C5X7SA1
Infineon Technologies
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel