casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDB06S60CATMA2
codice articolo del costruttore | IDB06S60CATMA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IDB06S60CATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDB06S60CATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 80µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 280pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDB06S60CATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDB06S60CATMA2-FT |
GP10JE-099M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-041M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10KE-046E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10KE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10KE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-062M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel