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codice articolo del costruttore | IDC08S120EX7SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDC08S120EX7SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDC08S120EX7SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 7.5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 180µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC08S120EX7SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDC08S120EX7SA1-FT |
GP10M-062M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation