casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDC08S60CEX1SA2
codice articolo del costruttore | IDC08S60CEX1SA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IDC08S60CEX1SA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDC08S60CEX1SA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC08S60CEX1SA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDC08S60CEX1SA2-FT |
GP10M-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel