casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTH24N50
codice articolo del costruttore | IXTH24N50 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTH24N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MegaMOS™ |
IXTH24N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH24N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTH24N50-FT |
IXTH02N450HV
IXYS
IXTH04N300P3HV
IXYS
IXTH1N300P3HV
IXYS
IXTH2N300P3HV
IXYS
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IXTH200N10T
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IXTH76P10T
IXYS
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
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XC3S700AN-4FGG484I
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5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC5VLX155-2FFG1760C
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation