casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTH1N300P3HV
codice articolo del costruttore | IXTH1N300P3HV |
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Numero di parte futuro | FT-IXTH1N300P3HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTH1N300P3HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 3000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 895pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 195W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247HV |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH1N300P3HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTH1N300P3HV-FT |
IXFX90N20Q
IXYS
IXFR80N50P
IXYS
IXFR32N100Q3
IXYS
IXFR80N50Q3
IXYS
IXFR32N80Q3
IXYS
IXFR15N100Q3
IXYS
IXFR44N50Q3
IXYS
IXFR64N50Q3
IXYS
IXFR64N60Q3
IXYS
IXFR102N30P
IXYS
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel