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IXYS IXTH1N200P3HV

Name: IXTH1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N200P3HV
Price: 5.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (535 reviews)

Numero parte MFG: IXTH1N200P3HV

quantità disponibile: 16220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.064

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTH1N200P3HV.pdf

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IXTH1N200P3HV specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTH1N200P3HV
Numero di parte futuro	FT-IXTH1N200P3HV
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTH1N200P3HV Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	2000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	646pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247HV
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N200P3HV Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTH1N200P3HV-FT

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