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IXYS IXTH2N300P3HV

Numero parte MFG
IXTH2N300P3HV
quantità disponibile
83480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 26.08
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXTH2N300P3HV
Numero di parte futuro FT-IXTH2N300P3HV
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTH2N300P3HV Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 3000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247HV
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH2N300P3HV Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTH2N300P3HV-FT

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