casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA88N085T
codice articolo del costruttore | IXTA88N085T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA88N085T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMV™ |
IXTA88N085T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 88A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3140pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA88N085T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA88N085T-FT |
IXTA170N075T2
IXYS
IXTA18P10T
IXYS
IXTA1N100P
IXYS
IXTA1N120P
IXYS
IXTA1N200P3HV
IXYS
IXTA1R4N100P
IXYS
IXTA1R4N120P
IXYS
IXTA1R6N100D2
IXYS
IXTA1R6N50D2
IXYS
IXTA230N04T4
IXYS
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel