casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA1N200P3HV
codice articolo del costruttore | IXTA1N200P3HV |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA1N200P3HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTA1N200P3HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA1N200P3HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA1N200P3HV-FT |
STSJ100NH3LL
STMicroelectronics
STSJ100NHS3LL
STMicroelectronics
STSJ25NF3LL
STMicroelectronics
STSJ50NH3LL
STMicroelectronics
LSIC1MO170E1000
Littelfuse Inc.
LSIC1MO120E0120
Littelfuse Inc.
LSIC1MO120E0080
Littelfuse Inc.
LSIC1MO120E0160
Littelfuse Inc.
IXTA10P50PTRL
IXYS
IXTA10P50P
IXYS
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.