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IXYS IXTA1R4N100P

Name: IXTA1R4N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTA1R4N100P
Price: 1.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (693 reviews)

Numero parte MFG: IXTA1R4N100P

quantità disponibile: 60050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.6

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: Polar™ MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTA1R4N100P.pdf

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IXTA1R4N100P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTA1R4N100P
Numero di parte futuro	FT-IXTA1R4N100P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Polar™
IXTA1R4N100P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	63W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (IXTA)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA1R4N100P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTA1R4N100P-FT

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