casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA1R6N50D2
codice articolo del costruttore | IXTA1R6N50D2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXTA1R6N50D2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTA1R6N50D2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA1R6N50D2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA1R6N50D2-FT |
LSIC1MO170E1000
Littelfuse Inc.
LSIC1MO120E0120
Littelfuse Inc.
LSIC1MO120E0080
Littelfuse Inc.
LSIC1MO120E0160
Littelfuse Inc.
IXTA10P50PTRL
IXYS
IXTA10P50P
IXYS
IXTA44P15TTRL
IXYS
IXTA200N055T2
IXYS
IXTA76P10T
IXYS
IXTA26P20P
IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel