casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV36N50PS
codice articolo del costruttore | IXFV36N50PS |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV36N50PS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFV36N50PS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 540W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS-220SMD |
Pacchetto / caso | PLUS-220SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV36N50PS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV36N50PS-FT |
IXFC110N10P
IXYS
IXFC12N80P
IXYS
IXFC13N50
IXYS
IXFC14N60P
IXYS
IXFC14N80P
IXYS
IXFC15N80Q
IXYS
IXFC16N80P
IXYS
IXFC20N80P
IXYS
IXFC22N60P
IXYS
IXFC24N50
IXYS
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel