casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFC20N80P
codice articolo del costruttore | IXFC20N80P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFC20N80P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFC20N80P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 166W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFC20N80P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFC20N80P-FT |
IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA2
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IRC530PBF
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XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
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LFE3-95E-8FN672I
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