casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFC20N80P
codice articolo del costruttore | IXFC20N80P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFC20N80P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFC20N80P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 166W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFC20N80P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFC20N80P-FT |
IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW80R290C3AFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R290C3AXKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
IRC530PBF
Vishay Siliconix
IRC540PBF
Vishay Siliconix
IRC630PBF
Vishay Siliconix
IRC640PBF
Vishay Siliconix
IRC644PBF
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel