casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFC12N80P
codice articolo del costruttore | IXFC12N80P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFC12N80P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFC12N80P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFC12N80P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFC12N80P-FT |
IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R080CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R110CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R150CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW80R290C3AFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R290C3AXKSA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel