casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT150N30X3HV
codice articolo del costruttore | IXFT150N30X3HV |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFT150N30X3HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFT150N30X3HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 254nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13.1nF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268HV |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT150N30X3HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT150N30X3HV-FT |
IXFN100N10S2
IXYS
IXFN100N10S3
IXYS
IXFN100N20
IXYS
IXFN100N25
IXYS
IXFN120N25
IXYS
IXFN150N10
IXYS
IXFN150N15
IXYS
IXFN180N07
IXYS
IXFN20N120
IXYS
IXFN23N100
IXYS
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel