casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN300N20X3
codice articolo del costruttore | IXFN300N20X3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN300N20X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN300N20X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 150A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 375nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 695W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN300N20X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN300N20X3-FT |
IXFH160N15T
IXYS
IXFH16N90Q
IXYS
IXFH17N80Q
IXYS
IXFH20N60
IXYS
IXFH20N60Q
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LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
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EP2AGX190EF29I5
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