casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN62N80Q3
codice articolo del costruttore | IXFN62N80Q3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFN62N80Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN62N80Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN62N80Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN62N80Q3-FT |
IXFH16N90Q
IXYS
IXFH17N80Q
IXYS
IXFH20N60
IXYS
IXFH20N60Q
IXYS
IXFH20N80Q
IXYS
IXFH21N50Q
IXYS
IXFH22N55
IXYS
IXFH230N10T
IXYS
IXFH23N60Q
IXYS
IXFH23N80Q
IXYS