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IXYS IXFN82N60Q3

Name: IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFN82N60Q3
Price: 34.528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (505 reviews)

Numero parte MFG: IXFN82N60Q3

quantità disponibile: 83020 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 34.528

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFN82N60Q3.pdf

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IXFN82N60Q3 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFN82N60Q3
Numero di parte futuro	FT-IXFN82N60Q3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFN82N60Q3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	275nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN82N60Q3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFN82N60Q3-FT

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