casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK30N110P
codice articolo del costruttore | IXFK30N110P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK30N110P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFK30N110P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK30N110P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK30N110P-FT |
IXFB44N100Q3
IXYS
IXFB110N60P3
IXYS
IXFB40N110Q3
IXYS
IXFK100N65X2
IXYS
IXFK64N60Q3
IXYS
IXFB100N50Q3
IXYS
IXFB170N30P
IXYS
IXFB210N20P
IXYS
IXFB300N10P
IXYS
IXFB30N120P
IXYS
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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XC4VLX60-12FFG1148C
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EP20K100FI324-2XV
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