casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB40N110Q3
codice articolo del costruttore | IXFB40N110Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFB40N110Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFB40N110Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1560W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB40N110Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB40N110Q3-FT |
APT18F60S
Microsemi Corporation
APT20F50S
Microsemi Corporation
APT20M38SVFRG
Microsemi Corporation
APT20N60SC3G
Microsemi Corporation
APT23F60S
Microsemi Corporation
APT24F50S
Microsemi Corporation
APT28F60S
Microsemi Corporation
APT30M70SVRG
Microsemi Corporation
APT30M85SVFRG
Microsemi Corporation
APT40SM120S
Microsemi Corporation
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel