casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH140N10P
codice articolo del costruttore | IXFH140N10P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH140N10P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFH140N10P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 600W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH140N10P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH140N10P-FT |
IXFT32N50Q
IXYS
IXFT36N60P
IXYS
IXFT40N30Q
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IXFT40N50Q
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IXFT4N100Q
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IXFT52N30Q
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IXFT58N20Q
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IXFT60N25Q
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IXFT70N15
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IXFT74N20
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