casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT36N60P
codice articolo del costruttore | IXFT36N60P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFT36N60P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFT36N60P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 650W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT36N60P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT36N60P-FT |
IXFT140N10P
IXYS
IXFT14N80P
IXYS
IXFT150N20T
IXYS
IXFT16N120P
IXYS
IXFT16N80P
IXYS
IXFT18N100Q3
IXYS
IXFT18N90P
IXYS
IXFT20N100P
IXYS
IXFT20N80P
IXYS
IXFT24N80P
IXYS