casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT60N25Q
codice articolo del costruttore | IXFT60N25Q |
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Numero di parte futuro | FT-IXFT60N25Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFT60N25Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT60N25Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT60N25Q-FT |
IXFT18N90P
IXYS
IXFT20N100P
IXYS
IXFT20N80P
IXYS
IXFT24N80P
IXYS
IXFT24N90P
IXYS
IXFT26N60P
IXYS
IXFT30N50P
IXYS
IXFT30N60P
IXYS
IXFT320N10T2
IXYS
IXFT340N075T2
IXYS
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel