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IXYS IXFT58N20Q

Name: IXFT58N20Q
Brand: IXYS
SKU: IXFT58N20Q
Availability: InStock
Rating: 4.7 (608 reviews)

Numero parte MFG: IXFT58N20Q

quantità disponibile: 48160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFT58N20Q.pdf

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IXFT58N20Q specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFT58N20Q
Numero di parte futuro	FT-IXFT58N20Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFT58N20Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT58N20Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFT58N20Q-FT

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