casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRC630PBF
codice articolo del costruttore | IRC630PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRC630PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRC630PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Caratteristica FET | Current Sensing |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-5 |
Pacchetto / caso | TO-220-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRC630PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRC630PBF-FT |
IPD50R800CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R360P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R460CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R600P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel