casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRC530PBF
codice articolo del costruttore | IRC530PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRC530PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRC530PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
Caratteristica FET | Current Sensing |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-5 |
Pacchetto / caso | TO-220-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRC530PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRC530PBF-FT |
IPD50R520CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R360P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R460CEAUMA1
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel