casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW65R190CFDFKSA2
codice articolo del costruttore | IPW65R190CFDFKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R190CFDFKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPW65R190CFDFKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R190CFDFKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R190CFDFKSA2-FT |
IPD350N06LGBUMA1
Infineon Technologies
IPD50N12S3L15ATMA1
Infineon Technologies
IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
IPD50R399CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPD50R520CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R180P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel