casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFA230N075T2-7
codice articolo del costruttore | IXFA230N075T2-7 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFA230N075T2-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFA230N075T2-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-7 (IXTA..7) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA230N075T2-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFA230N075T2-7-FT |
BSL716SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
PMN15UN,115
NXP USA Inc.
PMN20EN,115
NXP USA Inc.
PMN22XN,115
NXP USA Inc.
PMN230ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN23UN,135
NXP USA Inc.
PMN23UN,165
NXP USA Inc.
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel