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Infineon Technologies BSL802SNL6327HTSA1

Name: BSL802SNL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSL802SNL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (305 reviews)

Numero parte MFG: BSL802SNL6327HTSA1

quantità disponibile: 18780 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSL802SNL6327HTSA1.pdf

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BSL802SNL6327HTSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSL802SNL6327HTSA1
Numero di parte futuro	FT-BSL802SNL6327HTSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSL802SNL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.5A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	750mV @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 2.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1347pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSOP-6-6
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSL802SNL6327HTSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSL802SNL6327HTSA1-FT

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