casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMN23UN,165
codice articolo del costruttore | PMN23UN,165 |
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Numero di parte futuro | FT-PMN23UN,165 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMN23UN,165 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN23UN,165 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMN23UN,165-FT |
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2309DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2311DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2311DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI2321DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI2323DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2323DS-T1
Vishay Siliconix
SI2323DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel