casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSL802SNH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSL802SNH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL802SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL802SNH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.75V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 2.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1347pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL802SNH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL802SNH6327XTSA1-FT |
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2309DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2311DS-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel