casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBK55N300
codice articolo del costruttore | IXBK55N300 |
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Numero di parte futuro | FT-IXBK55N300 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBK55N300 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 130A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 55A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 335nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.9µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBK55N300 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBK55N300-FT |
APT43GA90B
Microsemi Corporation
APT35GN120BG
Microsemi Corporation
APT54GA60BD30
Microsemi Corporation
APT13GP120BDQ1G
Microsemi Corporation
APT200GN60B2G
Microsemi Corporation
APT35GA90B
Microsemi Corporation
APT80GA90B
Microsemi Corporation
APT15GN120BDQ1G
Microsemi Corporation
APT15GT120BRDQ1G
Microsemi Corporation
APT45GP120BG
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG144M
Microsemi Corporation
LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
Intel
EP3C16E144C7
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
EP4SE530H40C2
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXMA4K3F35I3N
Intel