casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT200GN60B2G
codice articolo del costruttore | APT200GN60B2G |
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Numero di parte futuro | FT-APT200GN60B2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT200GN60B2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 283A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Potenza - Max | 682W |
Cambiare energia | 13mJ (on), 11mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 1180nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/560ns |
Condizione di test | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT200GN60B2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT200GN60B2G-FT |
RGW60TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AX1000-FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
XA6SLX25T-3CSG324Q
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
10AX115H4F34E3LG
Intel