casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT35GN120BG
codice articolo del costruttore | APT35GN120BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT35GN120BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT35GN120BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 94A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Potenza - Max | 379W |
Cambiare energia | 2.315mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 220nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/300ns |
Condizione di test | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GN120BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT35GN120BG-FT |
RGTH60TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTH40TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTH80TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGW60TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
A1010B-PL68C
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C8
Intel
10AX027E3F29I2LG
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C4G
Intel
EP4CE30F29C7
Intel