casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT15GN120BDQ1G
codice articolo del costruttore | APT15GN120BDQ1G |
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Numero di parte futuro | FT-APT15GN120BDQ1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT15GN120BDQ1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 195W |
Cambiare energia | 410µJ (on), 950µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 90nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 10ns/150ns |
Condizione di test | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GN120BDQ1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT15GN120BDQ1G-FT |
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RJP4009ANS-01#Q6
Renesas Electronics America
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel