codice articolo del costruttore | IRLZ14 |
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Numero di parte futuro | FT-IRLZ14 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLZ14 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLZ14 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLZ14-FT |
SUP90140E-GE3
Vishay Siliconix
IRF9Z20PBF
Vishay Siliconix
IRF830A
Vishay Siliconix
IRF734
Vishay Siliconix
IRF737LC
Vishay Siliconix
SIHP6N40D-E3
Vishay Siliconix
IRFZ10PBF
Vishay Siliconix
SUP85N10-10-E3
Vishay Siliconix
SUP85N10-10-GE3
Vishay Siliconix
SUP90N06-6M0P-E3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel