casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUP85N10-10-E3
codice articolo del costruttore | SUP85N10-10-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUP85N10-10-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUP85N10-10-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP85N10-10-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUP85N10-10-E3-FT |
IRL540PBF
Vishay Siliconix
IRFB17N50LPBF
Vishay Siliconix
IRF9540PBF
Vishay Siliconix
IRF9510PBF
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SUP50020EL-GE3
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IRF730PBF
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IRF9630PBF
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IRF640PBF
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IRFZ14PBF
Vishay Siliconix
IRFBG20PBF
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel