casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHP6N40D-E3
codice articolo del costruttore | SIHP6N40D-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHP6N40D-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHP6N40D-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 311pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP6N40D-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHP6N40D-E3-FT |
IRF740PBF
Vishay Siliconix
IRFBC20PBF
Vishay Siliconix
IRL540PBF
Vishay Siliconix
IRFB17N50LPBF
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IRF9630PBF
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M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
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EP3SE110F780C4L
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10CL080YF780C6G
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