codice articolo del costruttore | IRF830A |
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Numero di parte futuro | FT-IRF830A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF830A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF830A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF830A-FT |
IRL620PBF
Vishay Siliconix
IRFBE30PBF
Vishay Siliconix
IRFZ44RPBF
Vishay Siliconix
IRF740PBF
Vishay Siliconix
IRFBC20PBF
Vishay Siliconix
IRL540PBF
Vishay Siliconix
IRFB17N50LPBF
Vishay Siliconix
IRF9540PBF
Vishay Siliconix
IRF9510PBF
Vishay Siliconix
SUP50020EL-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel