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Infineon Technologies IRLU3303PBF

Name: IRLU3303PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLU3303PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (799 reviews)

Numero parte MFG: IRLU3303PBF

quantità disponibile: 61850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLU3303PBF.pdf

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IRLU3303PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLU3303PBF
Numero di parte futuro	FT-IRLU3303PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLU3303PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLU3303PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLU3303PBF-FT

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