codice articolo del costruttore | IRF6609 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6609 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6609 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta), 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6290pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MT |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MT |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6609 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6609-FT |
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