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Infineon Technologies IRF6607TR1

Numero parte MFG
IRF6607TR1
quantità disponibile
10770 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF6607TR1 specificazioni

codice articolo del costruttore IRF6607TR1
Numero di parte futuro FT-IRF6607TR1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6607TR1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 94A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6930pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MT
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MT
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6607TR1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6607TR1-FT

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