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Infineon Technologies IRF6608

Name: IRF6608
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6608
Availability: InStock
Rating: 4.9 (781 reviews)

Numero parte MFG: IRF6608

quantità disponibile: 25690 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6608.pdf

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IRF6608 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6608
Numero di parte futuro	FT-IRF6608
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6608 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 55A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2120pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET™ ST
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric ST
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6608 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6608-FT

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