casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL8113PBF
codice articolo del costruttore | IRL8113PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRL8113PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL8113PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 105A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL8113PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL8113PBF-FT |
IRFB3806PBF
Infineon Technologies
IRF1405PBF
Infineon Technologies
IRF3703PBF
Infineon Technologies
IRL2910PBF
Infineon Technologies
IRFB7540PBF
Infineon Technologies
IRFB7530PBF
Infineon Technologies
IRF9Z24NPBF
Infineon Technologies
IRFB4321PBF
Infineon Technologies
IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
IRF200B211
Infineon Technologies
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel