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Infineon Technologies IRF200B211

Name: IRF200B211
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200B211
Price: 0.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (39 reviews)

Numero parte MFG: IRF200B211

quantità disponibile: 50080 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.928

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF200B211.pdf

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IRF200B211 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF200B211
Numero di parte futuro	FT-IRF200B211
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF200B211 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	80W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200B211 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF200B211-FT

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