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Infineon Technologies IRF1010EZPBF

Name: IRF1010EZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010EZPBF
Price: 1.304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (230 reviews)

Numero parte MFG: IRF1010EZPBF

quantità disponibile: 72370 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.304

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF1010EZPBF.pdf

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IRF1010EZPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF1010EZPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF1010EZPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF1010EZPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2810pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1010EZPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF1010EZPBF-FT

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