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Infineon Technologies IRFB7530PBF

Name: IRFB7530PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB7530PBF
Price: 2.888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (226 reviews)

Numero parte MFG: IRFB7530PBF

quantità disponibile: 93480 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.888

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFB7530PBF.pdf

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IRFB7530PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFB7530PBF
Numero di parte futuro	FT-IRFB7530PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRFB7530PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	411nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13703pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB7530PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFB7530PBF-FT

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