casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL1404PBF
codice articolo del costruttore | IRL1404PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRL1404PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL1404PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6590pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL1404PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL1404PBF-FT |
IRF6662TRPBF
Infineon Technologies
IRF6668TR1
Infineon Technologies
IRF6668TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6674TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6691TR1
Infineon Technologies
IRF6691TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6691TRPBF
Infineon Technologies
IRF6722MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6722MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6722STR1PBF
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.