casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6691TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6691TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6691TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6691TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6580pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MT |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MT |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6691TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6691TRPBF-FT |
IRF6811STRPBF
Infineon Technologies
IRF8327STR1PBF
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IRF6655TRPBF
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IRF6655TR1
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IRF6665TRPBF
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IRF6706S2TR1PBF
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
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AGL600V5-FG484I
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel